这一次，林本坚已经被陆逸明给截胡过来了，ASML的发展速度肯定会被拖慢，但后续怎么办，还很难说。
总而言之，这是一次机会，夏国的光刻机技术想要翻身，就必须抓住这个千载难逢的机遇。
陆逸明就和王行聊起了光刻机的发展历程。
毕竟是光学领域的专家，虽然已经退休了，但王行还是经常抽时间了解最新的技术前沿。而且作为过去那个时代的亲身经历者，王行对于光刻机的演变也有着更为深刻的了解。
王行对陆逸明说道：“第一、二代的光刻机，曝光方式基本上就是接触接近式，使用光源分别为436纳米的g-line和365纳米的i-line，接触式光刻机由于掩模与光刻胶直接接触，所以易受污染，而接近式光刻机由于气垫影响，成像精度不高。”
“我记得那时候还是六十年代初，当时的夏国太穷了，很多地方甚至在闹饥荒，大家饭都吃不饱，否则想要追赶的话，很容易就能追上。”
陆逸明点头，也觉得有些可惜：“是啊，在科研领域，没钱真是寸步难行，一步慢步步慢，导致我们今天只能花十倍乃至百倍的代价，去弥补差距。甚至遇到一些难以绕开的专利壁垒，更是只能徒呼奈何，搞科研太难了。”
“但是再难也要搞，因为今天不做，以后再做，花费的代价只会更大。”
王行对陆逸明的话十分认同，对他的决心和志气，更是极为欣赏。
“第三代为扫描投影式光刻机，利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式创新为光学投影式光刻，以扫描的方式实现曝光，光源也改进为248纳米的KrF激光，实现了跨越式发展，将最小工艺推进至180-130纳米。到了这个阶段，想要追赶就比较难了。”
陆逸明则是回答道：“其实更难的是第四代，步进式扫描投影光刻机，最具代表性的光刻机产品，1986年由ASML首先推出，采用193纳米ArF激光光源，实现了光刻过程中，掩模和硅片的同步移动，并且采用了缩小投影镜头，缩小比例达到5：1，有效提升了掩模的使用效率和曝光精度，将芯片的制程和生产效率提升了一个台阶。”
“如今业界普遍认为193纳米光刻无法延伸到65纳米技术节点，而157纳米将成为主流技术。然而，157纳米光刻技术遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。眼下，欧美诸多列强的众多研究者，都在157纳米浸入式光刻面前踌躇不前，而我们破晓光学已经看到了希望。”
听说破晓光学看到了突破157纳米的希望，王行顿时就激动了起来。连忙问道：“什么希望？赶紧跟我说说。”
他刚才都还在担心陆逸明这么大张旗鼓，最后能不能取得成功。
要知道，全世界研究光刻机的公司不少，而且都是欧美发达国家的高科技公司，陆逸明除了钱多之外，根本就没有任何优势。
但是科技这玩意儿，并不单单是砸钱就能够解决问题的。如果砸钱就能解决一切问题的话，那这个世界上也就不存在问题了。
可陆逸明却给他带来了惊喜，说研究已经有了希望，这可把王行给激动坏了。
不过，王行马上又反应过来，讪讪地说道：“不好意思，是我太激动了，如果涉及到你们公司的商业机密的话，那我就不问了。”
虽然心里面很好奇，但是王行做人还是懂分寸的，绝对不会倚老卖老胡搅蛮缠。
不过，陆逸明却很坦诚，说道：“王老说的哪里话？什么商业机密不商业机密的。就算是商业机密，那我也不会对你隐瞒的。若是连你这样的老一辈科学家我都信不过，这世界上还有值得信任的人吗？”
反正林本坚要搞沉浸式光刻技术这件事，就算陆逸明现在不说王行也会通过包梓钧教授这位弟子知道，迟早的事情罢了。
因此陆逸明根本就没有对王行保密的必要。相反，如果能够把这件事情对王行坦白，说不定还能够得到王行更多支持。
想到这里，陆逸明如实说道：“跟我一起来的那个林本坚，原本是TSM邰珏的资深处长，他之前曾提出了193纳米浸入式光刻的概念。按照他的理论，193纳米光波在水中的等效波长缩短为134纳米，一旦研发成功，我们就能让光刻机的精度直接超越157纳米这个极限，甚至在这一基础上，继续研究，将芯片的加工精度，推进到100纳米以下！也正是因为他的这个方案，我才决定投资他的。”
王行只是听说陆逸明要采用完全不同的方法来研究光刻机，但是具体的情况却不清楚。现在陆逸明直接说了出来，他震惊之余，更多的事欣喜。
“也就是说，如果这个方案能够走通，夏国在光刻机领域就能够实现弯道超车，进入全球第一梯队？”
陆逸明说：“是的，这个方案我已经申请专利了，只要能够做出来，我们就是世界第一！”
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