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第504章 纳米和28纳米的区别

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江辰的话语中带着几分调侃。

孟玉竹被推选为代表,硬着头皮站了出来,声音中带着一丝不自然的笑意

“董事长,您这是说到哪儿去了。我们其实已经给自己设定了一个明确的时间线,如果在接下来的半年里还是无法攻克,那我们就…”

江辰见状,既觉得好笑又有些许无奈,轻轻摇了摇头,打断了孟玉竹的话。

“好了,不必再说了。”

他心中已经有了计较,本来是准备来搞定芯片堆叠技术的,索性帮他们把14纳米结构设计也敲定把。

不然这帮家伙还不知道要撞多少次南墙了。

接下来的几天时间内,江辰先是把项目成立以来所有的技术资料全都捋了一遍。

成员们在很多技术上都有很大的突破。

这样一来的话,一旦奠定好新工艺的结构设计,那么估摸着14纳米芯片技术的突破近在咫尺了。

很快江辰就拿出了一款结构设计,也是后世中14纳米,7纳米乃至5纳米的通用方案。

鳍式场效应管晶体管结构,俗称FinFET。

它采用了3D结构增加了接触面积,从而提高了半导体性能并减少了电流泄露。

到这里为止硅基芯片的制程算是快走到极限了。

此外28纳米,14纳米就是目前全球最主要的成熟制程,而大家所熟知的7纳米及以上由于脆弱性其实并不常用。

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